Bachelor/Master-Arbeiten
Komm ins Team der Oberflächenphysik. In unseren Laboren kannst du an unseren Anlagen und Mikroskopen dein Thema erforschen. Wir haben immer eine Auswahl an Bachelor- und Masterarbeiten. Und sollte das passende Thema nicht dabei sein, kann man uns auch gerne anspechen.
Aktuelle Auswahl an Themen
Wir werden den Einfluss der Rauheit der Ru-Oberfläche auf die Keimbildung von Ga2O3 untersuchen.
Das Wachstum der Proben erfolgt durch Sputtern von Ru und Ga2O3 im Hochfrequenzbereich (RF).
Die Oberflächenrauheit der Ru-Schichten wird durch Tempern bei verschiedenen Temperaturen angepasst.
Ga2O3-Schichten werden bei verschiedenen Temperaturen gezüchtet, um den Keimbildungsprozess im Detail zu untersuchen.
Zur Charakterisierung der Wachstumsschritte werden verschiedene Techniken eingesetzt, wie z. B. Rastermikroskopie (AFM/STM), Niederenergie-Elektronenbeugung (LEED) und Röntgen-Photoemissionsspektroskopie (XPS).
Ziel: Erarbeitung eines zuverlässigen Designs für RS-Schaltgeräte.
Beim alten Design konnten die leitenden Spitzen leicht die Oberfläche des Kontakts zerkratzen, wodurch das Gerät leicht zerstört wurde. Dies führte zu einer geringen Ausbeute und zu Problemen mit der Wiederholbarkeit der Messungen.
Die Proben werden durch Sputtern von Ruthenium, Saphir und Aluminium in einer Kreuzstabgeometrie hergestellt und durch Niederenergie-Elektronenbeugung (LEED) und Rasterelektronenmikroskopie (SEM) sowie Rasterkraftmikroskopie geprüft.
Elektrische Messungen werden Aufschluss über die resistiven Schalteigenschaften geben.
Die Adsorption von Gallium auf der Ruthenium (0001)-Oberfläche wird mittels hochauflösender Niederenergie-Elektronenbeugung (SPA-LEED), Mikroskopie (LEEM und AFM) und Elektronenspektroskopie untersucht.
Ziel ist es, die Entwicklung der Oberflächenstruktur und -morphologie und die Auswirkungen auf die Oberflächenchemie, z. B. in der Katalyse, zu verstehen.
Ziele: Entwicklung eines funktionsfähigen Prototyps eines resistiv schaltenden Speicherbauelements unter Verwendung von CeO2 und Ga2O3 und Festlegung eines zuverlässigen Designs für RS-Schaltbauelemente und
Resistives Schalten bezieht sich auf die Fähigkeit eines Materials, seinen elektrischen Widerstand zwischen hohen und niedrigen Zuständen zu ändern, eine entscheidende Eigenschaft für die nächste Generation von Direktzugriffsspeichern (RAM). CeO2 und Ga2O3 sind vielversprechende Materialien für resistive RAM (ReRAM), eine neue Technologie für zukünftige nichtflüchtige Speicher.
Die Proben werden durch Sputterabscheidung von Ruthenium, Saphir und Aluminium hergestellt und durch Niederenergie-Elektronenbeugung (LEED) und Rasterelektronenmikroskopie (SEM) sowie Rasterkraftmikroskopie (AFM) charakterisiert.
Elektrische Messungen geben Aufschluss über die resistiven Schalteigenschaften. Ein neues Probendesign ist erforderlich, um zu vermeiden, dass die leitenden Spitzen die Oberfläche des Kontakts zerkratzen und das Gerät leicht zerstören. Dies führte zu einer geringen Ausbeute und zu Problemen mit der Wiederholbarkeit der Messungen. Zu diesem Zweck wird eine Kreuzstabgeometrie entwickelt.